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晶体管
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PMXB360ENEAZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 80 V, N-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
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2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
5,000
¥0.77631
3881.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010D-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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