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晶体管
SIUD403ED-T1-GE3参考图片

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SIUD403ED-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
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库存:11,064(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8984
18.984
100
¥0.92999
92.999
500
¥0.791
395.5
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-0806-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.01 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIU
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.6 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SIUD403ED-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
9,000:¥0.9379
参考库存:6308
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
参考库存:2310
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.4578
10:¥2.9945
100:¥1.8758
1,000:¥1.4012
参考库存:10514
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6895
10:¥3.4465
100:¥2.1696
500:¥1.7628
3,000:¥1.3899
9,000:查看
参考库存:8832
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥65.9242
10:¥54.014
100:¥44.8723
500:¥40.8834
参考库存:1424
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