您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STP80NF03L-04参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STP80NF03L-04

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.8205
25.8205
10
¥21.9785
219.785
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP80NF03L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP80NF03L-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:29205
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:29208
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:29211
晶体管
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
暂无价格
参考库存:29214
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:29217
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们