您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
A1P25S12M3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

A1P25S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,197(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥281.7768
281.7768
5
¥278.8501
1394.2505
10
¥259.8774
2598.774
25
¥248.2723
6206.8075
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P25S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A1P25S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:17094
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RSTR XSTR
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
4,000:¥0.49155
参考库存:17097
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥149.2278
5:¥143.3857
10:¥138.0069
25:¥126.786
参考库存:17100
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1246
5,000:¥4.2827
10,000:查看
参考库存:7903
晶体管
MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
参考库存:17105
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-83269811

手机:13684914114

传真:0755-83269811

Email: yichuanghuizhouyanli1368@ych124.wecom.work

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-83269811

微信联系我们 微信扫码联系我们