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晶体管
A1P25S12M3参考图片

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A1P25S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,197(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥281.7768
281.7768
5
¥278.8501
1394.2505
10
¥259.8774
2598.774
25
¥248.2723
6206.8075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P25S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A1P25S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:19215
晶体管
射频开发工具 MRF300A-40MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥4,610.40
参考库存:2519
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11413
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥28.0466
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:3378
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
3,000:¥5.5031
6,000:查看
参考库存:5082
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