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晶体管
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FDB050AN06A0

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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.6788
1667.88
250
¥15.8313
3957.825
500
¥14.2154
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
245 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB050AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
160 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
FDB050AN06A0_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STGW75M65DF2
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥42.262
10:¥35.9566
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.5098
参考库存:2250
APT4F120K
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:1804
STGP10H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2659
SIS468DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:6546
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:6653
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