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晶体管
IPB80N03S4L-02参考图片

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IPB80N03S4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.91
791
500
¥6.8704
3435.2
1,000
¥5.6952
5695.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L02ATMA1 IPB8N3S4L2XT SP000273282
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB80N03S4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NX138BKSF
Nexperia
晶体管
MOSFET NX138BKS/SC-88/REEL 13" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:18761
SISS28DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:7564
SQC40016E_DFFR
Vishay
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs
1:¥14.5996
10:¥12.1362
100:¥9.4468
500:¥8.2264
参考库存:18766
NVMFD5853NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:18769
DMPH3010LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
2,500:¥3.2883
参考库存:18772
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