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晶体管
TGF2965-SM参考图片

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TGF2965-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
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数量单价合计
1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
250
¥245.888
61472
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
600 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 3 GHz
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
1123170
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT5018SFLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥120.9439
5:¥116.1866
10:¥111.8022
25:¥102.7396
参考库存:16862
ADTC143TUAQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
参考库存:143665
DMT35M7LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:5667
IRF6797MTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
4,800:¥6.8139
9,600:查看
参考库存:16869
RN4907,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:16872
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