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晶体管
TGF2965-SM参考图片

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TGF2965-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
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数量单价合计
1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
250
¥245.888
61472
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
600 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 3 GHz
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
1123170
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2965-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTB743EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:43283
2SB1698T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:43286
EMF17T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/DTR
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:43289
BC817-25 RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.97632
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26894
参考库存:43292
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.9894
50:¥12.4526
100:¥11.2209
参考库存:43295
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