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晶体管
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FDP047AN08A0

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数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.8258
188.258
100
¥15.0629
1506.29
500
¥13.221
6610.5
1,000
¥10.9158
10915.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP047AN08A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
88 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FDP047AN08A0_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:13505
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