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晶体管
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STL4N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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1
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13.0628
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4071
6407.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL4N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns
商品其它信息
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