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晶体管
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VND5N07-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
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库存:14,169(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
70 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VND5N07-E
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
1100 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
400 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3900 ns
典型接通延迟时间
150 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,VND5N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
4,800:¥7.571
9,600:查看
参考库存:9863
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.2945
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
3,000:¥6.0455
参考库存:7272
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥5.0963
6,000:查看
参考库存:9900
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
1,000:¥4.1358
5,000:¥4.1358
参考库存:15980
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
500:¥18.1365
参考库存:4123
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