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晶体管
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BFS17NTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
11 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
50 mA
增益带宽产品fT
3.2 GHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BFS17
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
56 at 5 mA, 10 V
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFS17NTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMX3NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-363
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:40951
RJH1CD7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.6518
10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:40954
AGR18045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:40957
RJH60A83RDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥16.9839
10:¥15.2889
25:¥13.673
100:¥12.2944
参考库存:40960
JANTX2N6301
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:40963
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