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TIP125TU

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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7969
57.969
100
¥4.4522
445.22
500
¥3.9437
1971.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
1000 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP125
封装
Tube
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000 at 3 A at 3 V, 1000 at 500 mA at 3 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
TIP125TU_NL
单位重量
1.214 g
商品其它信息
优势价格，TIP125TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:29205
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:29208
QPD2793
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:29211
2SJ360(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
暂无价格
参考库存:29214
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:29217
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