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晶体管
SSM6L35FU(TE85L,F)参考图片

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SSM6L35FU(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.96841
96.841
1,000
¥0.7458
745.8
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
11 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
SSM6L35
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
300 ns, 251 ns
典型接通延迟时间
115 ns, 175 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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