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晶体管
PSMN020-30MLCX参考图片

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PSMN020-30MLCX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V 18.1 mo FET
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库存:6,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
1,500
¥1.3786
2067.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
31.8 A
Rds On-漏源导通电阻
20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
5.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.1 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
单位重量
27 mg
商品其它信息
优势价格,PSMN020-30MLCX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1179
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥14.4414
10:¥12.0684
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
2,500:¥6.78
参考库存:14118
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:1113
晶体管
MOSFET Pch -30V Vds -2A 0.14Rds(on) 3.9Qg
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:2990
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:25986
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