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晶体管
SP8M4FRATB参考图片

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SP8M4FRATB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch+Pch 30V Vds 9A 0.017Rds(on) 15Qg
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数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
1,000
¥8.2264
8226.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 25 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
22 ns, 70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns, 110 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 20 ns
零件号别名
SP8M4FRA
商品其它信息
优势价格，SP8M4FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:42111
NIC9N05TS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V
3,500:¥8.5315
7,000:¥8.2264
10,500:¥7.91
参考库存:42114
CMLDM7003T TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs
3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:42117
RJH60F4DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥31.0411
10:¥27.7415
25:¥24.973
50:¥23.8204
参考库存:42120
JAN2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:42123
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