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晶体管
AFGHL40T65SPD参考图片

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AFGHL40T65SPD

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FS3 T TO247 40A 65
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数量单价合计
1
¥41.1094
41.1094
10
¥36.8832
368.832
100
¥30.6569
3065.69
250
¥28.589
7147.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
267 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,AFGHL40T65SPD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
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3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
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1,500:¥4.8364
3,000:¥4.294
10,500:¥4.1358
参考库存:29087
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