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晶体管
SIHW23N60E-GE3参考图片

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SIHW23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
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数量单价合计
480
¥19.5942
9405.216
960
¥17.5941
16890.336
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AD-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHW23N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PUMH9,165
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET DOUBLE
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:14111
IPI600N25N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:4420
P85W28HP2F-7071
Shindengen
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MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
1:¥86.219
10:¥80.6029
25:¥75.6083
50:¥65.54
参考库存:3941
2SB1188T100R
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A SO-89
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4233
AUIRFS4010-7P
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.3517
250:¥26.894
参考库存:4237
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