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晶体管
IPD65R950CFDATMA2参考图片

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IPD65R950CFDATMA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存:34,039(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.4917
8729.25
10,000
¥3.3561
33561
25,000
¥3.2544
81360
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Reel
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
13.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD65R950CFD
商品其它信息
优势价格,IPD65R950CFDATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:3584
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:3485
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:7521
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:8645
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