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晶体管
STGFW30V60F参考图片

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STGFW30V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存:2,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
58 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW30V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW30V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:6613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:18853
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3841
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:2852
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
1:¥50.172
10:¥45.3356
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:2968
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