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晶体管
BDX53CG参考图片

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BDX53CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN
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库存:6,205(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6274
56.274
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.8194
1909.7
1,000
¥3.0171
3017.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BDX53C
封装
Tube
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BDX53CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:31757
晶体管
MOSFET LITELINK Programmable Driver
1,000:¥17.5941
2,000:¥16.8257
参考库存:31760
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
87:¥45.3356
174:¥40.8834
261:¥37.3465
522:¥34.0356
参考库存:31763
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4010
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:31768
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