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晶体管
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ARF475FL

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:4,524(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥740.3534
740.3534
2
¥717.3805
1434.761
5
¥717.1432
3585.716
10
¥694.0234
6940.234
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
优势价格,ARF475FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 2.2KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:7246
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz
1:¥47.0984
10:¥42.5671
25:¥40.567
100:¥35.1882
参考库存:5674
晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.2999
参考库存:7891
晶体管
MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:4911
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
5,000:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:11449
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