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晶体管
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ARF475FL

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥740.3534
740.3534
2
¥717.3805
1434.761
5
¥717.1432
3585.716
10
¥694.0234
6940.234
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
优势价格，ARF475FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:7307
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.357
500:¥19.21
3,000:¥19.21
参考库存:15529
NVMFS6B75NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥5.1076
10,000:¥4.9155
参考库存:15532
NVTFS6H888NWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1,500:¥4.4296
9,000:¥4.2601
参考库存:15535
DMNH4026SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.6555
参考库存:3838
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