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晶体管
CSD19505KTTT参考图片

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CSD19505KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET SMALL REEL VERSION OF CSD19505KTT
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库存:31,995(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥23.2102
232.102
50
¥23.2102
1160.51
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.7523
4438.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19505KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
262 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19505KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3977
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:244669
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:28744
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
参考库存:4458
晶体管
MOSFET 250V 3.3A
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.9891
100:¥7.2772
2,000:¥7.2772
参考库存:11378
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