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晶体管
IPB60R280C6参考图片

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IPB60R280C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
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库存:5,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPB60R280C6ATMA1 IPB6R28C6XT SP000687550
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R280C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
1:¥64.9298
10:¥63.0879
25:¥60.3985
250:¥56.0932
1,000:¥54.4773
参考库存:1669
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.5943
10:¥17.8992
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
3,000:¥9.379
参考库存:7197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1,012.7512
5:¥981.0886
10:¥949.4373
25:¥905.0961
参考库存:1250
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
参考库存:1404
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:27213
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