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晶体管
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CSD23285F5T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-CHANNEL FEMTOFET
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库存：6,465(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7176
171.76
250
¥1.7176
429.4
1,000
¥1.3221
1322.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD23285F5
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8.9 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD23285F5T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SP000925524
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:31681
STD13NM50N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
2,500:¥5.7065
5,000:¥5.5031
10,000:¥5.2884
参考库存:31684
IRFPC50LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
500:¥29.8094
1,000:¥25.9674
2,500:¥25.0521
参考库存:31687
IKW40N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥25.4363
480:¥24.1255
720:¥21.6734
参考库存:31690
NVMFS5C670NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.825
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
参考库存:31693
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