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晶体管
DMN26D0UFB4-7参考图片

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DMN26D0UFB4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
240 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN26
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
15.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.4 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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