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晶体管
IPC90N04S5L3R3ATMA1参考图片

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IPC90N04S5L3R3ATMA1

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库存:3,237(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8534
58.534
100
¥3.7855
378.55
1,000
¥3.0284
3028.4
5,000
¥2.5538
12769
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
N Channel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPC90N04S5L-3R3 SP001418122
商品其它信息
优势价格,IPC90N04S5L3R3ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP 30V
1:¥2.7685
10:¥1.7402
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:16260
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.8986
100:¥4.5313
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
2,000:¥3.1527
参考库存:7280
晶体管
MOSFET P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:7846
晶体管
MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:14095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED PNP GP XTT
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.78422
参考库存:10737
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