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晶体管
STB42N65M5参考图片

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STB42N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp
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库存:5,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.2925
87.2925
10
¥78.9192
789.192
25
¥75.2241
1880.6025
100
¥65.314
6531.4
1,000
¥49.5618
49561.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
79 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB42N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
61 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB42N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:77450
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:5238
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
参考库存:6089
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:2539
晶体管
MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.486
参考库存:6289
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