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晶体管
IPP020N06NAKSA1参考图片

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IPP020N06NAKSA1

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库存:4,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06N IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V, 7A, 0,6OHMS N channel Mosfet
15,000:¥4.3844
参考库存:27396
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,350.3839
25:¥1,301.7487
参考库存:27399
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W
1:¥22.5096
10:¥20.1366
100:¥18.3625
250:¥16.5206
参考库存:1908
晶体管
MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
1,000:¥5.4692
参考库存:27404
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:27407
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