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晶体管
MSA1162GT1G参考图片

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MSA1162GT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
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数量单价合计
1
¥1.1526
1.1526
10
¥0.99101
9.9101
100
¥0.35369
35.369
1,000
¥0.23843
238.43
3,000
¥0.17628
528.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MSA1162
高度
1.09 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 uA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MSA1162GT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3065LW-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC
10,000:¥0.63054
20,000:¥0.59212
参考库存:33223
DMP2021UTSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
参考库存:7873
ZXTN4004KQTC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V
2,500:¥1.5594
参考库存:33228
SQD100N02_3M5L4GE3
Vishay
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥4.1245
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7742
25,000:¥3.6612
参考库存:33231
DMP3028LPSQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET GenPurposeTranstr
暂无价格
参考库存:33234
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