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晶体管
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FCH041N60F

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数量单价合计
1
¥66.2406
66.2406
10
¥59.8561
598.561
25
¥57.0876
1427.19
100
¥49.5618
4956.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
277 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
595 W
配置
Single
商标名
SuperFET II FRFET
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH041N60F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
64.5 S
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
244 ns
典型接通延迟时间
63 ns
单位重量
6.390 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5295
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