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晶体管
TK8Q60W,S1VQ参考图片

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TK8Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK8Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK8Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD90P04P4L-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:19818
AUIRFP4409
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto Q101 300V SGL N-CH HEXFET
1:¥45.4147
10:¥38.646
100:¥33.5045
250:¥31.7304
参考库存:3027
RN4602TE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP NPN 100mA -50V
1:¥3.3787
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5199
FD400R12KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.6832
参考库存:2641
NSVDTA143ZET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:4012
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