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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-666-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.6 mm
长度	1.7 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
宽度	0.6 mm
商标	Nexperia
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，PEMD2,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PEMH13,315	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans	1:¥3.0736 10:¥2.0566 100:¥0.86106 1,000:¥0.58421 8,000:¥0.39211 24,000:查看	参考库存:12049
SSM3K16FV,L3F	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V	1:¥1.7628 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32996 8,000:¥0.2147 24,000:查看	参考库存:24664
NSVMUN5336DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA	1:¥3.1527 10:¥2.2035 100:¥1.01474 1,000:¥0.77631 3,000:¥0.66105	参考库存:106054
RN1905FE,LF(CT	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor	1:¥2.2261 10:¥1.4238 100:¥0.5989 1,000:¥0.4068 4,000:¥0.30736	参考库存:24669
VP2206N3-G P005	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	1:¥11.526 10:¥10.5994 25:¥8.8366 100:¥8.0682 250:¥7.4693 2,000:¥7.4693	参考库存:24672