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晶体管
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HGTG11N120CND

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数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.6732
4418.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG11N120CND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4403TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
2,000:¥0.33787
参考库存:25232
MPSA05RA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Medium Power
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
2,000:¥0.61472
参考库存:12207
SI7121DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:11068
MJD42CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W PNP
1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.5199
1,000:¥2.0227
参考库存:4991
2N6487G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 60V Bipolar Power NPN
1:¥7.1416
10:¥6.0568
100:¥4.6556
500:¥4.1132
参考库存:5275
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