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晶体管
DMG4468LK3-13参考图片

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DMG4468LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
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库存:8,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,500
¥1.4012
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18.85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG4468
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
6.01 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.53 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.84 ns
典型接通延迟时间
5.46 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,DMG4468LK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 45V Vds 7A 0.025Rds(on) 12Qg
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
2,500:¥4.9155
参考库存:6208
晶体管
MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET
1:¥10.1474
10:¥9.9892
25:¥8.4524
100:¥7.684
3,300:¥7.684
参考库存:6465
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.447
10:¥11.2209
100:¥8.6784
500:¥7.6162
3,000:¥7.6162
参考库存:3810
晶体管
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:3833
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:10622
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