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晶体管
CSD23203WT参考图片

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CSD23203WT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
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库存:4,752(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.3052
230.52
250
¥2.3052
576.3
1,000
¥1.7854
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD23203W
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23203WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel JFET 50mA
73:¥97.4286
100:¥89.5977
250:¥81.6764
500:¥76.3767
参考库存:41198
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥18.9049
10:¥17.063
50:¥15.2889
100:¥13.7521
参考库存:41201
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:41204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
参考库存:41207
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:41210
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