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晶体管
CSD23203WT参考图片

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CSD23203WT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
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库存:4,752(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.3052
230.52
250
¥2.3052
576.3
1,000
¥1.7854
1785.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD23203W
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23203WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.7412
10:¥18.1365
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:4512
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.006
4,000:¥4.9042
8,000:查看
参考库存:10045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:6403
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
1:¥2.6894
10:¥1.8532
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:72380
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:4858
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