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晶体管
IRF4104SPBF参考图片

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IRF4104SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
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数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.7574
6757.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001551088
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF4104SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:4621
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:2486
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:4878
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
参考库存:9314
晶体管
MOSFET
1:¥23.7413
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
2,000:¥11.9102
4,000:查看
参考库存:3655
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