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晶体管
IRF4104SPBF参考图片

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IRF4104SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
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库存:5,417(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.7574
6757.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001551088
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF4104SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6217
参考库存:5421
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:4932
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:11268
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥249.8091
5:¥238.5882
10:¥231.1302
25:¥212.3835
参考库存:43293
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:22718
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