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晶体管
FDMS3626S参考图片

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FDMS3626S

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库存:6,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
3,000
¥5.6387
16916.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
Power Stage PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS3626S
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
90 mg
商品其它信息
优势价格,FDMS3626S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.41471
24,000:¥0.4068
参考库存:40216
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥110.6496
250:¥100.8864
500:¥94.4341
1,000:¥86.6032
参考库存:40219
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥325.3383
250:¥297.3708
参考库存:40222
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:40225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥730.9066
参考库存:40228
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