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晶体管
STGP10NC60HD参考图片

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STGP10NC60HD

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
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库存:7,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5145
75.145
100
¥5.7743
577.43
500
¥5.1076
2553.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH75T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:44447
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.5029
参考库存:44450
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥137.7696
10:¥125.2492
25:¥115.8024
50:¥109.5761
参考库存:44453
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7854
5,000:¥1.6159
参考库存:44456
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A
1:¥7,497.5839
5:¥7,377.7135
参考库存:4614
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