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晶体管
STGP10NC60HD参考图片

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STGP10NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
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库存:7,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5145
75.145
100
¥5.7743
577.43
500
¥5.1076
2553.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:6401
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
参考库存:7416
晶体管
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥1.8984
参考库存:13716
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥32.2728
10:¥27.4364
100:¥23.8204
250:¥22.5887
参考库存:5925
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.2827
参考库存:10928
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