您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGP10NC60HD参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGP10NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:7,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5145
75.145
100
¥5.7743
577.43
500
¥5.1076
2553.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:31360
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4806
1,500:¥5.7743
4,500:查看
参考库存:31363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Small Signal
3,000:¥3.0397
9,000:¥2.9267
24,000:¥2.8363
参考库存:705513
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:31368
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 3.9 mo FET
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.7574
参考库存:31371
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们