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晶体管
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IRGB4061DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存：6,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2726
28.2726
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.8259
2082.59
250
¥19.7524
4938.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
36 A
Pd-功率耗散
206 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
36 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536144
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5416UA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥399.4098
5:¥377.7477
10:¥373.4424
25:¥345.3958
参考库存:41228
STF2HNK60Z
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1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
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参考库存:8266
RN2316(TE85L,F)
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双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
暂无价格
参考库存:41233
JANS2N3019/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥642.3824
100:¥628.393
参考库存:41236
JANTXV2N2906A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
107:¥134.3909
250:¥122.5598
500:¥114.6498
参考库存:41239
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