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晶体管
STL8N10F7参考图片

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STL8N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.017 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.78
6780
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL8N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,STL8N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:31828
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:10300
晶体管
MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:3717
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:29289
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 800V, 3A
1:¥10.3734
10:¥9.2208
100:¥7.2659
500:¥5.6387
参考库存:4213
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