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晶体管
SIR870ADP-T1-GE3参考图片

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SIR870ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.0626
4531.3
3,000
¥9.0626
27187.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
68 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SIR870ADP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR870ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:25975
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:13365
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
1:¥1,807.8192
5:¥1,767.4782
10:¥1,731.3634
25:¥1,705.7689
50:¥1,643.8336
参考库存:25980
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.7684
24,000:查看
参考库存:25983
晶体管
JFET N Ch JFET Engineering Hold
3,000:¥3.9776
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.7064
参考库存:20373
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