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晶体管
SIR870ADP-T1-GE3参考图片

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SIR870ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:14,094(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.0626
4531.3
3,000
¥9.0626
27187.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
68 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SIR870ADP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR870ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥2.7346
参考库存:11501
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
4,000:¥2.2035
参考库存:23518
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.1258
10:¥24.973
100:¥20.5886
250:¥19.8993
500:¥17.8992
参考库存:7085
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
4,000:¥1.3334
参考库存:49366
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:4235
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