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晶体管
STW21N150K5参考图片

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STW21N150K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge
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库存：3,975(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥108.1184
108.1184
10
¥99.4287
994.287
25
¥95.2816
2382.04
100
¥83.9816
8398.16
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW21N150K5
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MDmesh K5
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
134 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW21N150K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ3585EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:29647
MMBT3904VL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:122395
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:2637
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3028
STL86N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:3349
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