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晶体管
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QS6J3TR

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库存:3,881(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8533
38.533
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
215 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6J3
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
QS6J3
单位重量
14 mg
商品其它信息
优势价格,QS6J3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:6328
晶体管
MOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:7108
晶体管
MOSFET N-channel 800 V MDMesh
1:¥46.4882
10:¥42.036
25:¥40.0359
100:¥34.804
参考库存:2942
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
4,800:¥9.2208
9,600:查看
参考库存:5644
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.8564
10:¥59.551
25:¥56.7825
100:¥49.2567
参考库存:2706
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