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晶体管
STB20NM50T4参考图片

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STB20NM50T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
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库存:6,449(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥29.041
290.41
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
1,000
¥18.0574
18057.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB20NM50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB20NM50T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:5721
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:7723
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:5767
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -80V Vceo -2.5A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.3108
参考库存:6727
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:7729
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