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晶体管
IRFS52N15DTRRP参考图片

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IRFS52N15DTRRP

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
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库存:1,762(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9838
14.9838
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9157
4457.85
800
¥8.9157
7132.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001568000
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS52N15DTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:69295
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3841
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
5,000:¥7.5032
参考库存:2191
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
1:¥3.7629
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
参考库存:8059
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:2541
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