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晶体管
IRG4PSC71UDPBF参考图片

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IRG4PSC71UDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
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数量单价合计
1
¥104.5815
104.5815
10
¥96.1291
961.291
25
¥92.1289
2303.2225
100
¥81.2244
8122.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274AA-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545818
单位重量
6.804 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PSC71UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.8364
10:¥3.9663
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.5933
参考库存:5365
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:30110
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.6555
700:¥2.1244
参考库存:5124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323
1:¥1.5368
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:9159
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:7357
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