| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
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暂无价格
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参考库存:17126
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:17112
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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250:¥6,372.7254
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参考库存:17100
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥640.5405
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参考库存:17097
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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暂无价格
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参考库存:17081
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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1:¥2,673.4896
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参考库存:3576
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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1:¥2,663.9637
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参考库存:3603
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,036.2665
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参考库存:17060
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,159.2105
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参考库存:17005
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:16977
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,097.7385
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参考库存:16949
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥383.6576
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参考库存:16905
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,866.1385
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参考库存:16899
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥987.9364
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参考库存:16868
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥914.396
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参考库存:16865
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥646.5295
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参考库存:16839
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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暂无价格
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参考库存:16818
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,159.2105
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参考库存:16805
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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50:¥768.40
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参考库存:16780
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,036.2665
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参考库存:16761
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