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射频晶体管
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CGHV40180F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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¥2,663.9637
2663.9637
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
20.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440223
封装
Tray
工作频率
DC to 1000 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40180F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，CGHV40180F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T18S165-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥637.772
参考库存:15132
MW6S004NT1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1:¥85.1342
10:¥78.0717
25:¥70.9979
100:¥63.8563
1,000:¥47.9459
参考库存:2262
BFU630F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
1:¥4.3844
10:¥3.5708
100:¥2.1809
1,000:¥1.6837
3,000:¥1.4351
参考库存:36840
QPD2195SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,349.8528
参考库存:15139
PTFC210202FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥371.6005
参考库存:15142
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