| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
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150:¥1,042.1086
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参考库存:14751
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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1:¥1,431.5292 5:¥1,399.6406 10:¥1,370.9838 25:¥1,350.7681 50:¥1,301.6696
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参考库存:1282
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:14712
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N-3STG/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:14698
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥687.944
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参考库存:14695
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:14672
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
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1:¥691.0967 5:¥677.7288 10:¥655.287 25:¥627.5568 50:¥618.9462
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参考库存:14664
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
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150:¥879.818
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参考库存:14630
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
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1:¥410.5516 5:¥398.6414 10:¥390.1212 25:¥373.6684 250:¥331.3386
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参考库存:1234
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2001N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥456.2036
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参考库存:14617
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:14594
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥9,605.00
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参考库存:1096
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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1:¥222.0676 5:¥212.2366 10:¥204.7786 25:¥178.7321 500:¥154.1433
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参考库存:1576
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:14562
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥764.0156
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参考库存:14559
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:14556
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:14535
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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1:¥24.2837 10:¥22.2836 25:¥20.2835 100:¥18.2156 1,000:¥13.673
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参考库存:13612
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:14511
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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250:¥714.838
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参考库存:14508
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