| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
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1:¥222.2936 10:¥196.2471 25:¥178.0428 50:¥158.5955
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参考库存:18459
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥518.67
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参考库存:18456
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射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
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7:¥2,172.1877 10:¥2,137.1464 25:¥2,060.0804
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参考库存:18453
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥709.1541
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参考库存:18450
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,281.0019
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参考库存:18447
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射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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1:¥3.616 10:¥2.5764 100:¥1.1865 1,000:¥0.91417 3,000:¥0.77631
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参考库存:10609
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
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1:¥1,323.2639 2:¥1,286.6067 5:¥1,257.1815 10:¥1,220.4452
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参考库存:18442
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥382.1999
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参考库存:18439
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射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
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1:¥9.1417 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 1,000:¥4.181
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参考库存:9607
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
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150:¥1,030.3453
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参考库存:18434
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
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1:¥2,305.2791 5:¥2,269.7745 10:¥2,236.044 25:¥2,187.793 50:¥2,154.1303
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参考库存:18431
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1:¥744.8847 2:¥721.7536 5:¥721.5276 10:¥698.3174
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参考库存:4939
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:18426
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1:¥335.2484 2:¥331.5646 5:¥327.8017 10:¥312.8179
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参考库存:4988
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥597.1259
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参考库存:18421
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10:¥1,900.9425
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参考库存:18418
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
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250:¥847.5452
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参考库存:18415
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:18412
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥738.2064
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参考库存:18409
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1315N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥214.1576
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参考库存:18406
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